Ao fabricar lasers de alta velocidade, as seguintes medidas podem ser tomadas para melhorar a largura de banda de 3dB do dispositivo: 

1. Na região ativa, a estrutura multiquântica de tensão (compensada) é adotada

O material da armadilha de laser do poço quântico está no topo do nível de furo pesado da banda de valência devido à tensão compressiva biaxial paralela ao plano do poço e a tensão de tração perpendicular ao plano do poço sobe, e a banda de valência volta a degenerar, divide o elétrons da órbita giratória para a cavidade pesada com a probabilidade de transição de aproximadamente igual a zero, reduzem a probabilidade de recombinação do trado à temperatura ambiente, resultando assim em um declínio na corrente de limiar do laser do poço quântico e na diminuição do fator de aprimoramento da largura de linha e na frequência de oscilação de relaxamento, modulação a largura de banda e o coeficiente de ganho diferencial melhoraram significativamente.

2. Doping do tipo P na região ativa

A dopagem do tipo p pode reduzir o transporte de buracos através da região SCH, que é a principal limitação para dispositivos de poço quântico de alta velocidade. A dopagem do tipo P pode obter um ganho diferencial muito alto e tornar a distribuição de portadores no poço quântico mais uniforme.

Se a concentração de dopagem de Zn na região ativa estiver próxima de 1018 cm-3, sua largura de banda de 3dB pode atingir 25GHz e a frequência de oscilação do dispositivo pode ser aumentada para 30GHz (o comprimento da cavidade é de 300μm). Além disso, são propícios para reduzir o fator de aumento de largura de linha altamente dopado e melhorar ainda mais o ganho diferencial, o que é benéfico para melhorar as características de modulação do dispositivo.

3. Reduzir os parâmetros parasitas de eletricidade

A fim de reduzir os parâmetros parasitas elétricos do laser de alta velocidade, especialmente a capacitância parasita, pode-se usar a tecnologia de aterro de rebrota de Fe - InP de isolamento parcial, ao mesmo tempo também precisa reduzir a área do eletrodo; Usando a estrutura de mesa estreita auto-alinhada (SA-CM) para reduzir a capacitância parasitária O método de preenchimento de poliimida é frequentemente usado para reduzir a capacitância parasitária.

4.Melhorar a concentração de fótons e ganho diferencial dentro do laser

A frequência ressonante intrínseca pode ser aumentada aumentando a concentração de fótons na cavidade do laser. O ganho diferencial pode ser melhorado usando a estrutura DFB para fazer o comprimento de onda do laser e a dessintonização negativa do comprimento de onda de pico de ganho (-10nm), o que pode aumentar a largura de banda de modulação de -3dB.